1. 经化学表面处理后的水痕缺陷
根据水痕缺陷主要成分是氧化硅的特征 ，利用磷酸氧化硅有较低的蚀刻率 ，并不会蚀刻掉多晶硅的特性 ，工艺易于控制 。因此对于用光学显微镜观察到产生水痕缺陷的晶圆 ， 选用热磷酸重新进行表面化学处理五分钟（REWORK） ，对处理前后的样品用 KLA-tencor surfscan SP1 TB1 型表面缺陷扫描仪进行观察并进行缺陷数量统计 ， 结果如下图所示 。
根据处理前后的样品用表面缺陷扫描仪显微镜进行观察到的缺陷数量进行统计 ， 其结果表明： 对于产生水痕缺陷的晶圆用热磷酸重新进行表面化学处理五分钟（REWORK） ，可以有效去除大部分水痕缺陷 。
2. 怎样通过重新化学表面处理改善水痕缺陷
对在金属钨硅化物沉积前的清洗产生的水痕缺陷 ，进行对于产生水痕缺陷的晶圆采用热磷酸重新进行表面化学处理五分钟（REWORK） ，并对处理前后的样品用扫描显微镜进行观察结果可以看出： 水痕缺陷数目明显减少 ，可以有效改善缺陷 。 因此我们可以看出 ，对于在不同工艺步骤产生的水痕缺陷 ，选用适当的化学品 ， 此化学药液应具备两个条件：
1) 从水痕缺陷的成份为二氧化硅可知 ，这类化学品对二氧化硅应有一定的蚀刻率 ，能有效洗去主要成分为二氧化硅的水痕缺陷 。
2) 这类化学品应对二氧化硅有较高的蚀刻选择比 ，也就是说 ，它对晶圆表面的其它结构不会有损伤 ，这样才能在不破坏芯片本身结构的前提下 ，可以有效减少甚至消除水痕缺陷 。
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