硅表面的疏水性对HF-last湿化学处理过程中水迹形成的影响

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本研究考察了这些HF最终工艺对干燥后南水标记的生成有何影响 。通过对Teflon、SiO2、Silicon分别进行适当的清洗步骤 , 制备了具有亲水性和疏水性表面的试样 , 然后用动态接触角度分析器(DCA)分析了各试样的接触性 。 这样准备的每个具有不同接触性的诗篇上滴下10ul的超纯水(18.2M0-cm) , 然后在30 ℃、N2和O2气氛中干燥 , 故意生成了water mark 。 将生成的水标记的大小与接触角和干燥气氛相关联 , 进行了比较分析 。 【硅表面的疏水性对HF-last湿化学处理过程中水迹形成的影响】
清洗后测量的接触角等于表1 , 接触角测定结果表明 , HF处理的硅和Teflon表现出大接触角的疏水性 , SiO2和HF未处理的硅表现出低接触角的亲水性 , 针对这些不同接触性的诗篇 , 将O2和N2中残留在高敌人诗篇表面的水滴干燥后 , 在亲水性和疏水性的诗篇母豆中产生了water mark , 但是 , 如图1所示 , 在初始水滴和水标记大小的差异值上 , 对于其他诗篇 , N2和O2的差异值 , 值为0.2毫米左右 , 几乎没有差异 , 而HF处理的硅的差异为0.8毫米 , 可见其表面与O2产生了某种化学反雄 , 另一方面 , 故意将直径为2.04uma的球形聚天龙颗粒塞进水滴内 , 观察水滴照射后这些颗粒的分布情况 。
结果 , 疏水性的诗篇将这些粒子密集在一起 , 形成了一个致密的团 , 而在亲水性的情况下 , 这些粒子分布得很广 。 分析认为 , 水滴内存在的异物根据表面状态(表示不同的接触性)的不同行为 , 结果产生不同方面的水标记 。
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