XPS测量是观察晶圆片表面有机污染物的一种重要而有效的方法 ， 可以直接反映有机残留物的数量 ， 显示典型的晶片表面全扫描和局部扫描的光谱 ， 在三种有机物去除比较实验中清洗 ， 全扫描光谱显示硅表面的化学成分基本上是三种元素 ， 氧、碳和硅 。
测量结果表明 ， 三种技术清洗的硅片均有微量有机碳残留和薄二氧化硅氧化层 ， 三种元素浓度的比较 ， 用OL和S-OL清洗技术清洗的硅晶片表面比用RCA清洗技术具有更少的有机残留物和更厚的氧化层 ， 因此 ， 在从晶圆表面去除有机污染物方面 ， 新技术优于RCA清洗技术 。
将非离子表面活性剂与BDD薄膜阳极电化学氧化相结合的新型清洗技术可以同时去除有机污染物和颗粒污染物 ， 以及吸附在晶片表面的表面活性剂 ， BDD-EO中的化学试剂量小 ， 可重复使用 ， S-OL清洗技术中不使用盐酸、氢氧化铵和过氧化氢 。 因此 ， S-OL清洁技术是一种环保的清洁技术 。
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