总之 ， 展示了一种针对石墨或石墨烯基平面的干蚀刻方法 ， 蚀刻强烈地依赖于晶体取向 ， 导致锯齿状边缘的形成 ， 该蚀刻过程归因于碳原子的氢化和挥发 ， 其蚀刻动力学与甲烷的形成相一致 ， 这种干燥的、各向异性的蚀刻方法非常适合于石墨烯的裁剪 ， 因为蚀刻速率可以被精确地控制 ， 并且可以保持石墨烯的质量 。 这种简单、干净、可控、可扩展的技术也与现有的半导体处理技术相兼容 。 假设有晶片级单晶石墨烯样品 ， 这种各向异性蚀刻技术在与标准光刻技术相结合时 ， 将为制造大规模石墨烯纳米结构提供一个有用的工具 ， 因此可以基于合适的起始材料和本文讲述的方法 ， 为未来的集成石墨烯纳米器件铺平一条道路 。
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