【蒸汽相氟化氢对晶片清洗和氧化物刻蚀的表征】与典型的硅加工特别相关的表面处理的另一个例子是扩展的 ， 将氧化物暴露在热磷酸中 ， 通过在160℃下在磷酸中浸泡一小时 ， 培养时间没有显著 ， 处理后蚀刻速率提高了约18% ， 蚀刻均匀性提高了略小于50% ， 较高的蚀刻速率可能与氧化物表面的轻微掺杂有关 ， 源自磷的非挥发性掺杂剂停留在氧化物的表面 ， 通过降低浓缩膜的pH值而导致更高的蚀刻速率 。
在NH~OH/H~OJH~O溶液中处理氧化物也对腐蚀特性有影响 ， 在一个特定的蚀刻配置中 ， 培养时间减少了3秒 ， 蚀刻速率稍微降低 ， 粒子性能-对于许多需要无自然氧化物的硅表面的工艺 ， 通常在清洗程序的最后使用短时间的HF蚀刻来去除自然或化学氧化物 ， 这种方法有许多缺点 ， 在HF处理之后的水冲洗和旋转干燥步骤期间 ， 发生了有限量的天然氧化物再生长 ， 第二 ， 一般认为如果HF溶液中存在颗粒和重金属 ， 这些污染物很容易沉积在干净的硅表面上 ， 当气相HF用于蚀刻天然或化学氧化物时 ， 可以消除冲洗和干燥晶片的需要 。
薄氧化物表征-使用具有12 nm栅极氧化物的LOCOS隔离MOS电容器研究了用气相HF蚀刻代替含水HF蚀刻的电气含义 ， 电容器既不接受氧化后惰性环境退火 ， 也不接受栅极形成气体退火 ， 在将晶片分成三份之前 ， 对晶片进行常规的预氧化清洗 。
不同HF治疗组 ， 处理是含水(1%) HF、气相I-IF和气相HF ， 然后用水冲洗 ， 在所有晶片上测量了相似的有效固定氧化物电荷密度和中间带隙界面态 ， 图中总结了斜坡电压击穿分布 ， 观察到从含水HF到气相HF的改善趋势 ， 并且气相HF和水冲洗的组合获得了最佳分布 ， 随着超过四倍的改善 ， 时间相关的介电击穿数据显示了当含水HF被气相HF替代时最显著的变化 。
各种硅氧化物的气相HF蚀刻已经被广泛表征 ， 已经开发了基于不同氧化物的培养时间变化的新方法 ， 用于实际应用 ， 例如在也包含热氧化物的图案化叠层中选择性去除PSG ， 用气相HF工艺代替传统的含水HF工艺 ， 不仅可以获得更好的清洁度 ， 而且可以提高薄氧化物的耐电应力性 。
推荐阅读
- 干细胞治疗系统性红斑狼疮安全有效，获专家共识
- 猫为何不怕老虎？96%相似的基因，唯一的差别也许你已经猜到了
- 神舟十四号转运至发射区！刘洋去空间站吗？3名航天员有什么任务
- 假如战争只剩一男一女，多久才能恢复15亿人口？很多人不知道
- 神舟十四乘组有女航天员？空间站高清大图公开，太阳翼设计好神奇
- 中国空间即将“变身”！神舟十四号预计六月发射，有什么任务呢？
- 中国大客户被space X拿下，300颗卫星订单转手他人，性价比成弱项
- 盘点那些带“自杀基因”的多肉，你曾经是不是被它们“虐”哭了？
- 中美航天技术相差10年？也许比想象中大，未来依旧是任重而道远