湿法化学刻蚀制备碳化硅量子点( 二 )



总结
与我们之前使用开放系统合成SiC量子点的研究相比 , 20在封闭系统中合成的SiC量子点的光致发光光谱显示出两个主要差异 。 在发射最大值中存在轻微的蓝移 , 并且对于在封闭反应室中生产的SiC QDs , 光谱通常没有在开放容器中生产的SiC QDs宽[图3(a)下图
。 根据HRTEM显微照片 , 这两种差异证实了更窄的尺寸分布 , 并显示出几乎单分散的分布范围(封闭系统为1-8nm , 而不是开放系统的1-15nm)和更低的平均尺寸(3 nm , 而不是6 nm) 。 为了比较两个系统在不同激发下的PL发射强度的绝对强度 , 进行了一组新的实验 , 其中所有实验参数保持相同 。 结果如图3(b)所示 。 对于封闭反应室制备的SiC QDs , PL强度增强了约30%这与我们关于产量增加的发现一致 。
比较在水和乙醇溶液中记录的PL光谱 , 可以观察到随着溶剂极性增加的红移(图4) 。 样品的浓度和尺寸分布以及设置参数是相同的 。 我们将这种现象主要归因于不同溶剂的介电常数的变化 。

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