Intel|英特尔3D封装新进展 开发FIVR以稳定3D堆叠系统功率
英特尔公司在封装设计中开发了一种嵌入式电感的全集成稳压器（Fully Integrated Voltage Regulators，FIVR），用于控制芯片在3D-TSV堆叠系统中的功率 。据eeNews报道，电压控制器对于3D封装至关重要，后者将基于工作负载的最优流程节点实现的chiplet封装在一起 。这是一种灵活且经济高效的方法，可以创建多种配置，但需要更复杂的电源控制 。
英特尔在俄勒冈州和亚利桑那州的团队使用0.9nH-1.4nH 3D-TSV基于封装嵌入式电感器开发了一种FIVR，其效率比低退出调节器（LDO）高37.6%，在10mA-1A负载范围内实现了平坦的效率，而无需相互通信 。
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FIVR在基于22nm工艺的裸片上实现，采用三种TSV友好型电感结构，具有多面积与效率的权衡选项 。这些很容易并行地构建模块化设计，可以服务于广泛而不同的chiplet 。
该设计在最近的VLSI 2022研讨会上进行了讨论 。(校对/隐德莱希)
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