Vishay推出30V n沟道MOSFET半桥功率级
MOSFET针对降压转换器中的每项任务进行了优化(参见图表) 。一个10V时最大导通电阻4.5m(4.5V时7.0m)，通常栅电荷6.9nC另一个在10V时为1.84 m(在4.5V时为2.57 m)，通常为9.4nC
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额定电流为20-30A或更高，取决于温度和散热器-参见数据表 。
Weishi表示：“这款器件为设计人员提供了节省空间的解决方案 ， 用于图形和加速卡、计算机、服务器以及电信和射频网络设备中的负载点转换、电源和同步降压和DC-DC转换器 。”
【Vishay推出30V n沟道MOSFET半桥功率级】Weishi-SiZF300DT”双mosfet具有独特的引脚配置和结构 。与相同占地面积的竞品相比，每相输出电流最多增加11% 。另外 ， 当输出电流高于20A时，效率更高 。”
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