硬件|内外存合一：非易失性UltraRAM存储器制造研究取得新进展( 二 ) 内外存合一：非易失性UltraRA

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研究配图 - 5：制造 UltraRAM 存储单元的工艺流程
与 RAM / NAND 中使用的切换技术相比，UltraRAM 的该过程非常节能，因而有望在移动设备上取得广泛的应用，让电池的续航时间变得更长久。
最后，UltraRAM 能够运用于高 bit 密度的紧凑架构，理论上允许制造商在单个芯片中塞下更多的存储容量。不过该校研究团队坦承，他们仍需深入改进存储单元的制造工艺。
如果一切顺利，这项有趣的技术将带来巨大的内存计算潜力 —— 因为它消除了让数据在内存 / 外存之间来回传输的需求，且具有极佳的非易失性能。
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硬件|内外存合一：非易失性UltraRAM存储器制造研究取得新进展( 二 )

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