IT之家|TrendForce：氮化镓功率器件市场 2021 年增长率可达 90.6%
TrendForce 集邦咨询近日发布了 GaN 氮化镓市场调查报告 。 报告显示 ， 尽管 2018 年至 2020 年以氮化镓为代表的第三代半导体产业受到贸易摩擦、疫情影响增长受到压力 ， 但 2021 年该产业成长动能有望高速回升 ， 预计 GaN 氮化镓功率器件市场规模将达到 6100 万美元 ， 年增长率达到 90.6% 。
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TrendForce 详细介绍了作出此预测的原因 。 首先 ， 新冠疫苗的问世有望缓解全球疫情 ， 进而带动工业能源转换所需零组件如逆变器、变频器等 ， 以及通讯基站需求回稳 。 其次 ， 随着特斯拉 Model 3 电动车逆变器逐渐采用 SiC 碳化硅器件 ， 第三代半导体于车用市场逐渐备受重视 。 最后 ， 中国政府为提升半导体自主化 ， 今年提出十四五计划投入巨额人民币扩大产能 ， 上述都将成为推升 2021 年 GaN 及 SiC 等第三代半导体高速成长的动能 。
IT之家获悉 ， GaN 器件的制造主力以 6 英寸晶圆为主 ， 但台积电、VIS 等代工厂尝试引入 8 英寸晶圆生产氮化镓器件 。 TrendForce 预期 2021 年通讯及功率器件营收分别为 6.8 亿和 6 ， 100 万美元 ， 年增 30.8% 及 90.6% 。
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研究机构表示 ， GaN 功率器件年增最高的主因是手机品牌如小米（Xiaomi）、OPPO、Vivo 自 2018 年起率先推出快速充电头 ， 凭借高散热效能与体积小的产品优势获得消费者青睐 ， 截至目前笔电厂商也有意跟进 。 预计 GaN 器件会持续渗透至手机与笔电配件 ， 且年增率将在 2022 年达到最高峰 ， 后续随着厂商采用逐渐普及 ， 成长动能将略为趋缓 。
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【IT之家|TrendForce：氮化镓功率器件市场 2021 年增长率可达 90.6%】针对 SiC 碳化硅器件 ， 由于通讯及功率领域皆需使用该衬底 ， 6 英寸晶圆的供应量显得吃紧 ， 预估 2021 年 SiC 器件于功率领域营收可达 6.8 亿美元 ， 年增 32% 。 目前各大衬底商如科锐（CREE）、贰陆（II-VI）、意法半导体（STMicroelectronics）等已陆续开展 8 英寸衬底研制计划 ， 但仍有待 2022 年后才有望逐渐纾缓供给困境 。
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