财联社(上海 , 编辑卞纯)讯 , 三星电子(Samsung Electronics Co.)周四(10月7日)表示 , 将在2025年前实现2纳米晶体管工艺技术的商业化 , 以在芯片加工领域与规模更大的竞争对手台积电(TSMC)展开竞争 。
【公司|三星:2025年将开始量产2纳米芯片,明年上半开始生产客户设计的3纳米芯片】 据媒体报道 , 三星在今日举办的晶圆代工论坛上表示 , 2025年将开始量产2纳米芯片 , 明年上半开始生产客户设计的3纳米芯片 , 第二代的3纳米芯片则预期在2023年生产 。
“我们将全面提供制造产能 , 在最先进的技术方面维持领先 , 持续在应用层面精进技术 。 ” 三星晶圆代工部门总裁Choi sSi-young称 。 他表示 , 新冠疫情加速数字化 , 三星的客户和伙伴将得以在适当时机提供适当技术 , 开发硅应用的无限潜力 。
三星表示 , 公司的GAA电晶体结构先进制程技术已经发展完备 , 明年可为客户量产3纳米芯片 , 2025年量产2纳米芯片 。 GAA制程生产的3纳米芯片与5纳米相较 , 性能增强30% , 功耗减少50% 。
三星同时也在持续改善鳍式电晶体(FinFET)制程技术 , 该公司表示 , 其17纳米FinFET制程芯片 , 与28纳米比较 , 性能增强39% , 功率效率增强49% , 面积减少43% 。
据悉 , 三星今年晶圆代工论坛以线上虚拟会议方式召开 , 数天的活动预料吸引全球超过2000位客户与合作伙伴参与 。
势要赶超台积电
三星计划量产第一代3纳米芯片的时间大约与台积电计划大批量生产这些芯片的时间相同 。 台积电总裁魏哲家今年6月时表示 , 3纳米工艺将于2022年下半年开始量产 。
不过 , 值得注意的是 , 芯片代工市场的领导者台积电尚未公布其2纳米芯片的量产路线图 。 这也凸显出三星正努力缩小与台积电的市场份额差距 , 并势要在先进芯片制造领域赶超台积电的野心 。 若三星先于台积电引入更先进的工艺技术 , 无疑将吸引谷歌、高通和苹果等主要全球客户 。
市场研究公司Counterpoint research的数据显示 , 从营收来看 , 作为全球第二大代工厂商 , 三星第二季度占据芯片全球代工市场14%的份额 , 远低于台积电的58% 。
三星希望在2030年之前投资133万亿韩元(约合1160亿美元) , 以成为全球最大的半导体代工企业 。 而台积电也已表示 , 未来三年将向代工业务投资1000亿美元 , 以巩固其市场领先地位 。
在三星与台积电展开激烈厮杀的同时 , 美国科技巨头英特尔(Intel Corp.)也在进军芯片代工领域 。 今年3月 , 英特尔宣布在芯片业务上投资数十亿美元 , 并表示其目标是在2024年之前生产出1.8纳米芯片 。 不过 , 行业观察人士表示 , 这一目标可能遥不可及 。
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