他说 ， 我们和国际上差距比较大 ， 又很重要的领域之一是碳化硅功率电子芯片 。 这一块国际上已经完成了多次迭代 ， 虽然8英寸技术还没投入量产 ， 但是6英寸已经是主流技术 ， 二极管已经发展到了第五代 ， 三极管也发展到了第三代 ， IGBT也已进入产业导入前期 。 另外车规级的碳化硅MOSFET模块在意法半导体率先通过以后 ， 包括罗姆、英飞凌、科锐等国际巨头也已通过认证 ， 国际上车规级的碳化硅芯片正逐渐走向规模化生产和应用 。 反观国内 ， 目前真正量产的主要还是碳化硅二极管 ， 工业级MOSFET模块估计到明年才能实现规模量产 ， 车规级碳化硅模块要等待更长时间才能量产 。
在谈到我国第三代半导体技术和产业面临的问题和挑战时 ， 他列举了三个方面：一是国际风云变换 ， 逆全球化趋势明显 ， 我国面临技术和产品禁运的高技术领域正被不断扩大 ， 第三代半导体领域的“卡脖子”问题亟待解决 ， 相关产业链安全存在风险；二是在国际上已经进入产业化快速发展阶段的大背景下 ， 我国第三代半导体核心材料、芯片和装备的产业化能力亟待加强和突破；三是我国第三代半导体领域的人才 ， 特别是上游材料、芯片领域的高端人才非常紧缺 ， 市场上抢人大战愈演愈烈 ， 急需国家采取措施尽快培养 。
【沈波|北京大学沈波：国内外第三代半导体处于产业爆发初期的“抢跑”阶段】每日经济新闻
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