为AI寻找最佳人造突触：IBM电化学RAM亮相IEEE电子元件会议( 六 )_：为AI寻找最佳人造突触：IBM电化学RAM

圣母大学的 FeMFET 的铁电层建立在晶体管之上，而芯片往往在这里进行互联。

来自印第安纳州圣母大学和德克萨斯州奥斯汀市三星高级逻辑实验室的一组研究人员发明了一种用于嵌入式人工智能芯片的新型存储单元：铁电金属 FET（FeMFET）。圣母大学的 Kai Ni 希望提升 FeFET 在此类人工智能应用上的性能；FeFET 一直受制于写入权重时所需的高电压，这导致了一些可靠性问题。他们提出的解决方案是将铁电层从晶体管中移出，使其成为位于晶体管上方的独立电容器。

将权重写入可容纳两位比特的 FeMFET，所耗费的电压不到以前使用铁电体的人工智能方案的一半。但就目前而言，实现这种技术需要太长时间。Ni 说：「我们现在唯一的缺点就是写入速度，我们认为这不是 cell 单元的固有特性，是可以改进的」。

可能目前并没有用于神经形态芯片和深度学习设备的完美的突触结构。但从上周在 IEDM 上公布的各种新的、实验性的测试结果来看，我们将拥有更好的突触结构。