揭秘芯片制造关键一环，百亿美元市场的光刻胶产业( 十 )_光刻胶是电子领域微细图形加工关键材料

▲IC 光刻工艺原理

▲IC 光刻流程图

光刻工艺之前先要进行硅片清洗，目的是去除污染物，去除颗粒，减少针孔和其他缺陷，提高光刻胶粘附性。基本步骤为化学清洗、漂洗、烘干。

▲IC 光刻工艺硅片清洗示意图

接下来是预烘和底胶涂覆工艺，光刻胶中含有溶剂，硅片脱水烘焙能去除圆片表面的潮气、增强光刻胶与表面的黏附性，这是与底胶涂覆合并进行的，底胶涂覆增强光刻胶(PR)和圆片表面的黏附性。广泛使用 (HMDS)六甲基二硅胺、在 PR 旋转涂覆前 HMDS 蒸气涂覆、 PR 涂覆前用冷却板冷却圆片。

▲IC 光刻工艺预烘和底胶涂覆示意图

第三步就是进行光刻胶涂覆，在涂光刻胶之前，先在 900-1100 度湿氧化，湿氧化后从容器中取出光刻胶滴布到样品表面，将样品置于涂胶机上高速旋转，胶在离心力的作用下向边缘流动。涂胶的质量直接影响到所加工器件的缺陷密度。为了保证线宽的重复性和接下去的显影时间，同一个样品的胶厚均匀性和不同样品间的胶厚一致性不应超过±5nm 。