揭秘芯片制造关键一环，百亿美元市场的光刻胶产业(12)_光刻胶是电子领域微细图形加工关键材料

▲IC 光刻工艺对准示意图

▲IC 光刻工艺曝光示意图

曝光完成之后为显影和坚膜，显影即将在曝光过程中形成的隐性图形显示为光刻胶在与不在的显性图形，光刻胶层中的图形就可以作为下一步加工的膜版。坚膜即通过高温除去光刻胶中剩余的溶剂，增强光刻胶对硅片表面的附着力，同时提高光刻胶在随后刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性能力。

▲IC 光刻工艺显影示意图

最后工序为刻蚀及离子注入和光刻胶的去除，刻蚀是半导体器件制造中利用化学途径选择性地移除沉积层特定部分的工艺。一般分为电子束刻蚀和光刻：光刻对材料的平整度要求很高，需要很高的清洁度；电子束刻蚀对平整度的要求不高，但是速度很慢且设备昂贵。离子注入是将特定离子在电场里加速，然后注入到晶圆材料中用于形成载流子。所有步骤结束后将光刻胶去除，一般分为湿法去胶、干法去胶、有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。