揭秘芯片制造关键一环，百亿美元市场的光刻胶产业(11)_光刻胶是电子领域微细图形加工关键材料

▲IC 光刻工艺光刻胶涂覆示意图

第四步进行进行光刻曝光前的烘干，通过在较高温度下进行烘培，使溶剂从光刻胶中挥发出来（前烘后溶剂含量降至 5％左右），从而降低灰尘的沾污。同时，这一步骤还可以减轻因高速旋转形成的薄膜应力，提高光刻胶衬底上的附着性。

▲IC 光刻工艺烘干示意图

烘干后进行对准和曝光工艺，光刻对准技术是曝光前一个重要步骤作为光刻的三大核心技术之一，一般要求对准精度为最细线宽尺寸的 1/7——1/10 。曝光即使用特定波长的光对覆盖衬底的光刻胶进行选择性地照射，从而使正光刻胶感光区域、负光刻胶非感光区的化学成分发生变化，利用感光与未感光光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度，就可以进行掩膜图形的转移。曝光方法分为 a、接触式曝光（Contact Printing）掩膜板直接与光刻胶层接触。 b、接近式曝光（Proximity Printing）掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为 10～50μm 。 c、投影式曝光（Projection Printing）。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。 d、步进式曝光(Stepper) 。