黑磷隧道场效应晶体管TFET，更快的速度和超低功耗集成电路的突破_图A：由黑磷2D材料的厚度变化形成的异

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图A：由黑磷2D材料的厚度变化形成的异质结的光学图像和能带图。图B：隧道场效应晶体管和取决于厚度的带隙的示意图。 C：特性转移曲线显示出陡峭的亚阈值摆幅和高导通电流。图片：韩国科学技术高等研究院（KAIST）

研究人员报告了一种黑磷晶体管，可以用作替代的超低功率开关。 KAIST物理系的Sungjae Cho教授领导的研究团队开发了可控厚度的黑磷隧道场效应晶体管（TFET），相对于互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管该晶体管的开关功耗比传统的低10倍，待机功耗也比传统的低10000倍。

黑磷隧道场效应晶体管TFET，更快的速度和超低功耗集成电路的突破