黑磷隧道场效应晶体管TFET，更快的速度和超低功耗集成电路的突破( 二 )
该研究小组表示 ， 他们开发的快速和低功耗的晶体管 ， 可以取代传统的CMOS晶体管 。 特别是 ， 他们解决了降低TFET操作速度和性能的问题 ， 为扩展摩尔定律铺平了道路 。
在上个月发表在《自然纳米技术》上的这项研究中 ， Cho教授的团队报告了一种天然异质结TFET ， 其黑磷层厚度可随空间变化而没有界面问题 。 他们在4-5dec的电流范围内实现了创纪录的低平均亚阈值摆幅值 ， 并实现了创纪录的高通态电流 ， 这使得TFET能够以比传统CMOS晶体管更高的速度运行 ， 并且功耗更低 。
黑磷异质结隧道场效应晶体管（BP NHJ-TFET）的光学图像和示意性结构 。 （图a）完整的BP NHJ-TFET器件的光学图像（左）和单层黑鳞片（右） 。 橙色和绿色的多边形分别表示块状黑鳞（BP）和片状单层黑鳞（ML BP） 。 （b）完整BP NHJ TFET的结构示意图 。
Cho教授说：“我们成功开发出第一个达到快速、低功耗开关基本标准的晶体管 。 我们新开发的TFET可以解决有关TFET性能下降的重大问题 ， 从而取代CMOS晶体管 。 ”
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