黑磷隧道场效应晶体管TFET,更快的速度和超低功耗集成电路的突破( 四 )

Cho教授说:“就我们所知 , 我们已经首次展示了针对快速和超低功耗操作的TFET优化 , 这对于替代用于低功耗应用的CMOS晶体管至关重要 。 ” 他说 , 他很高兴扩展摩尔定律 , 该定律最终可能会影响生活和社会的几乎各个方面 。

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