原创<br> 深度解读芯片刻蚀：国产5nm机器就绪，2018全球销售额破历史新高( 三 )

2019-04-21

因此，经过物理或者化学刻蚀之后，衬底上留下的图形电路就与掩膜版的形状一模一样了。

如上图所示，一层结构的加工就需要十几个步骤，如果要建立60层的复杂结构，就需要约1000个加工步骤。单个步骤的合格率即使达到99.0%，1000个步骤后的合格率就趋近于零。因此只有每个步骤的合格率均达到99.99%，才能实现总体合格率90%以上。

刻蚀分为干法刻蚀和湿法刻蚀，其中干法刻蚀是主流工艺。

干法刻蚀是把硅片表面暴露于气态中，产生等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口与硅片发生物理或化学反应（或这两种反应），从而去除暴露的表面材料。干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的主要方法。

湿法刻蚀是使用液体化学试剂（如酸、碱和溶剂等）以化学方式去除硅片表面的材料。湿法刻蚀一般只是在尺寸较大的情况下（大于3微米）。湿法刻蚀也用于腐蚀硅片上的某些层或用于去除干法刻蚀的残留物。

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