原创<br> 深度解读芯片刻蚀：国产5nm机器就绪，2018全球销售额破历史新高( 四 )

2019-04-21

按照反应原理来划分，干法刻蚀分为三种：

1）物理性刻蚀，又称离子束溅射刻蚀，原理是使带能粒子在强电场下加速，这些带能粒子通过溅射刻蚀作用去除未被保护的硅片表面材料。

2）化学性刻蚀，又称等离子体刻蚀，纯化学刻蚀作用中，通过等离子体产生的自由基和反应原子与硅片表面的物质发生化学反应达到刻蚀的效果。

3）物理化学性刻蚀，即反应离子刻蚀，为物理刻蚀与化学刻蚀混合作用。这种物理和化学混合的作用机理结合了两种作用的优点，能获得较好的线宽控制并有较好的选择比，因而在大多数干法刻蚀中多采用反应离子刻蚀。

按照被刻蚀的材料，干法刻蚀又可以分为三种：金属刻蚀、介质刻蚀和硅刻蚀；其中，介质刻蚀使用量最大。

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