三星、海力士、镁光垄断全球存储器市场，中国新势力有望打破三强垄断？(16)_焦点垄断导致的暴利

? 合肥长鑫（Hefei Innotron）1Q18 已完成设备安装，一期计划产能为 125kwpm ，三期全部满产产能为 375kwpm 。第一阶段做基于 19nm 平台的 8GB LPDDR4 产品，主要应用为智能手机，目前已开始投产，预计年底良率可达 10% ， 2019年底良率可达 80%左右，实现大规模量产。根据我们的测算，合肥长鑫一期满产后，基于现阶段每片晶圆可切割的容量数以及 mobile DRAM 的单价，在良率以及产能利用率 100%的情况下，每年产值可达到 66 亿左右美金。但我们认为，由于初期良率较低、产能处在爬坡状态、折旧摊销等固定成本高昂，另外，加入厂商相较海外大厂存在技术上的差距，每单位容量平均的可变成本也会相应增加。因此初期运营厂商会承受很大亏损的压力。

股价及估值

存储器的价格变动一般提前于公司股价反映，如下图所示。事实上， DRAM/NAND 价格自2Q16 便开始上涨，到 3Q17 开始见顶下滑（以 DDR3 4GB 产品为例， DDR4 产品价格今年二季度后开始松动）。 NAND 到 4Q17 后见顶下滑（以 64GB MLC 产品为例）。

自 2016 年 9 月底以来，受到存储颗粒涨价影响，各存储大厂股价一路飙升，其中以镁光居首，历史最高股价上扬了 259% ，三星/SK 海力士/西部数据相比 2016 年 9 月底最大涨幅分别为 83%/131%/83% 。而从 2Q18 开始出现回撤。