三星、海力士、镁光垄断全球存储器市场，中国新势力有望打破三强垄断？(30)_焦点垄断导致的暴利

合肥长鑫将从 19nm（1X）制程切入市场，我们预计 2020 年可开始大规模量产产品。到2019 年底，公司产能将达到 2 万片/月。大概落后三星 2-3 年。

NAND：由于平面微缩极限的到来， NAND 存储器转向 3D 结构发展。堆叠层数增多不仅增大容量，更因为绝缘材料及空间结构变化解放了 TLC 技术的可靠性和寿命问题，使 QLC成为可能。这一演进，大大降低了单位 GB 成本。

3D NAND 方面，目前 64 层产品已经在各大境外厂商中普及，全球 3D NAND 的出货量占比已经达到 1/4 有余。 2018年 7 月三星 96 层 TLC V-NAND 开始量产，在竞争中领先将于同年更晚时间量产 96 层 3D NAND 的东芝/西数和镁光。

我国长江存储（YMTC）自主研发的 32 层 3D-NAND 产品将于年底量产出货，其2018年刚发布了 Xtacking 技术，将帮助 NAND 存储器实现与 DDR4 内存 I/O 速度，及更大的堆叠密度，并将用于明年量产的 64 层 3D-NAND 产品中。大体来看，技术相媲美的上落后全球大厂 3年左右的时间。