三星、海力士、镁光垄断全球存储器市场,中国新势力有望打破三强垄断?(33)

公司表示目前已实现 512Mb 高容量产品量产 , 同时也加大推进产品向 55nm 平台导入 。 但我们认为 2018 年 NOR Flash 产品中中低容量仍占据大部分 , 我们了解到中低容量 NOR Flash 今年以来受到产能扩张影响 , 主要来自于国内非上市企业(在武汉新芯流片) , 价格及盈利能力都承受压力 , 而中高容量价格则相对较为坚挺 。 另一方面 , 公司进入中高容量市场后 , 能否成功从海外大厂中抢走份额也颇具压力 。

SLC NAND 方面 , 公司基于 38nm 产品已稳定量产 , 目前在积极推进 24nm 的研发工作 。 虽然 SLC NAND 相较 NOR Flash 价格较为稳定 , 但 SLC NAND 是公司从 3Q17 起生产的新产品 , 因此技术及制程的研发尚需要一段时间 。 旺宏 1H19 起将会开始量产基于 19nm 平台的产品 , 我们认为海外大厂积极的技术及产品升级将对公司产品的市场推广带来一定压力 。

合肥长鑫:2017 年 10 月 , 兆易创新发布公告 , 与合肥市产业投资控股有限公司签署了《关于存储器研发项目之合作协议》 , 约定双方在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展工艺制程 19nm , 12”晶圆存储器(DRAM)研发项目 , 本项目预算约为 180 亿人民币 。 按照计划 , 该项目资金由公司与合肥产投根据 1:4 的比例负责筹资 , 即公司需要出资 36 亿元 。 目标在 2018 年 12 月 31 日前研发成功 , 实现良率不低于 10% 。 同时 , 应合肥产投要求 , 公司有义务在目标实现后 5 年内收购合肥产投在本项目中的权益 。

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