三星、海力士、镁光垄断全球存储器市场，中国新势力有望打破三强垄断？(29)_焦点垄断导致的暴利

技术差距

DRAM：为了获得更快的速度与更低的能耗， DRAM 随摩尔定律的发展一步一步缩小自身尺寸，若采用 EUV 光刻，制程可微缩至 10nm 量级。目前，行业前三甲三星、SK 海力士及镁光都处于完成 1Xnm 制程转换或在转换过程中的阶段。具体情况为：

? 三星技术明显领先，目前已有较高的 1Xnm 制程收入占比，并积极推进 1Ynm 制程转入进度。平泽厂计划于 2019 年开始量产 10nm LPDDR 5 芯片。

? 镁光方面，原瑞晶部分已于今年二季度实现到 1Xnm 的全部转换，并计划于明年转向 1Znm ，而原华亚科部分仍在向 1Xnm 制程的转换当中。

? SK 海力士已于 2017 年开始向 M14 厂一期产线及无锡厂开始导入 1Xnm 制程，但由于技术壁垒较高， 2018 上半年良率不达预期， LPDDR4 产能仍然有限。

我国的福建晋华目前仅专注于利基型 DRAM 的制造，技术相对落后，首先导入的产品为25nm DRAM 存储器，制程上大概落后三星 3 代左右。

三星、海力士、镁光垄断全球存储器市场，中国新势力有望打破三强垄断？(29)