三星、海力士、镁光垄断全球存储器市场，中国新势力有望打破三强垄断？(35)_焦点垄断导致的暴利

南京半导体产业基地：紫光南京半导体产业基地项目由紫光集团投资建设，主要产品为3D NAND Flash、DRAM 存储芯片等。项目一期投资约 105 亿美元，月产芯片 10 万片，总投资额为 300 亿美元， 3 期规划。南京厂已于 2017 年推出 DDR3 产品，但量产环节仍主要在台湾力晶进行。

成都半导体产业基地：2018 年 10 月 12 日，紫光成都存储器制造基地项目开工，主要产品为 3D NAND 存储器，并将开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的开发制造，销售等，总投资额 240 亿美元。项目全部建成后月产能为 30 万片。

长江存储：长江存储由紫光集团，国家集成电路产业投资基金，湖北地方集成电路基金，湖北科投联合投资 240 亿美元，于 2016 年 7 月正式成立。 2016 年 12 月，以长江存储为主体的国家存储器基地正式开工建设，将建设 3 座全球单座面积最大的 3D NAND Flash FAB 洁净厂房、1 座总部研发大楼和其他若干配套建筑。其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过 3 万美元。公司表示计划项目一期 2018 年建成投产，实现零的突破，成功进入市场；2019 年实现正毛利；2020 贡献月产能 10 万片， 2023 年年产值达 1000 亿人民币。