三星、海力士、镁光垄断全球存储器市场，中国新势力有望打破三强垄断？(36)_焦点垄断导致的暴利

长江存储自 2014 年起进行 3D NAND 研发， 2015 年 9 层测试芯片验证成功， 2016 年 32层测试芯片设计完成， 2017 年第 1 代 32 层芯片设计完成。今年内公司取得了更大进步：第 2 代 64 层芯片设计完成，同时 32 层芯片达到企业级标准， 64 层芯片试片成功。

福建晋华

福建晋华是由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资设立的DRAM制造商。公司与台湾联电开展技术合作，总投资 56.5 亿美元，在福建省晋江市建设 12吋内存晶圆厂生产线，开发先进存储器技术和制程工艺，并开展相关产品的制造和销售。

晋华项目一共 4 期，每期设计产能 60kwpm ，总计 240kwpm 。公司预计整体 4 期满产后可带来 500 亿人民币的产值， 1 期收入可在 15-16 亿美金。

目前规划第一阶段主要做 25nm 4GB DDR4/DDR3 产品，争取 2018 年研发成功，后续会继续研发 1xnm 产品。 2020 年逐步从 25nm 产线转移至 1xnm ， 2022 年争取全部转入 1xnm制程，产能达到 240kwpm 。