日本加强对韩国半导体材料出口管控,是否会影响三星的5G布局?( 十 )
半导体光刻胶技术壁垒高,市场高度集中。全球半导体行业中涉及光刻胶的核心技术主要被日本和美国企业所垄断,包括日本 JSR、信越化学、TOK、住友化学,美国 SEMATECH、IBM,韩国东进化学等,合占市场份额达到 95%。据中 国半导体行业协会统计,2014 年日本合成橡胶、东京日化、罗门哈斯、信越化学、富士电子材料五家企业占据全球87%的市场份额。
自20世纪80年代开始,光刻技术根据所使用的光源不同,经历了从紫外(UV,G 线 436nm 和 I 线 365nm)到深紫外(DUV,248nm 和 193nm)再到下一代的极紫外(EUV,13.5nm)的发展过程。根据 Rayleigh 方程,光刻分辨率与曝光光源的波长成正比,与镜头的数值孔径成反比。故欲获得高分辨率的图形,需使用更短波长的曝光光源或增加经统计的数值孔径。随着曝光波长的缩短,光刻胶所能达到的极限分辨率不断提高,光刻得到的线路图案精密度更佳,而对应的光刻胶的价格也更高。目前,工业上大规模生产所使用的分辨率最高的光刻技术为 193nm 光刻,即 ArF 光刻。极紫外光刻技术目前进入小规模量产阶段,已有机构研制成功极紫外光刻胶。
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