日本加强对韩国半导体材料出口管控，是否会影响三星的5G布局？(17)_：日本加强对韩国半导体材料出口管控

简单来说，EUV使用13.5nm波长的极紫外光曝光硅片，而传统的氟化氩(ArF)浸没式光刻则是依靠193nm波长，并且需要昂贵的多模掩模装置。EUV技术使得使用单个光罩来创建硅晶圆层成为可能，而ArF可能需要多达4倍的光罩才能创建相同的晶片。也就是说，与非EUV工艺相比，三星的7 LPP工艺可使光罩总数减少约20%，为客户能够节省时间和成本。

近两年为三星半导体业务立功最大的是存储芯片部门，贡献的营收、利润达到七八成，而三星的晶圆代工业务虽然有高通这样的VIP客户，但在7nm节点上高通会转投回台积电，三星要想拉拢到更多的客户，只能从工艺技术、成本价格上着手。这也是三星为什么跳过非EUV工艺的7nm工艺，直接上7nm LPP EUV工艺的原因，如今他们的7nm LPP工艺已经完成了Synopsys的物理认证，意味着7nm EUV工艺全球首发了。

三星位于韩国华城的EUV生产线

三星在EUV工艺上市最激进的，直接跳过了第一代非EUV光刻的7nm工艺，根据之前的路线图，三星第一个使用EUV工艺的就是7nm LPP工艺，预定今年下半年量产。日前Synopsys与三星联合宣布已经使用后者的7nm LPP工艺完成了IC验证器的认证工作。此次认证完成之后，三星的7nm LPP工艺可以立即提供认证的运行库，包括DRC设计规则检查、LVS布局与原理图、金属填充技术文件等等，这也意味着三星的7nm LPP工艺走入了正轨。