台积电研发副总裁黄汉森：2050年晶体管能做到0.1纳米，氢原子尺度！( 四 )_：台积电研发副总裁黄汉森：2050年晶体

根本性的改进

“我们期待看到更多不同方向的创新，这将为行业提供持续的利益。”黄汉森说：“这就是我们关心的。”

黄汉森表示，芯片技术的元件正在缩小到极小的尺寸

关于未来的技术路线，Philip Wong 认为像碳纳米管（1.2nm 尺度），2D层状材料等可以将晶体管变得更快，尺寸更小；同时，相变内存（PRAM），旋转力矩转移随机存取内存（STT-RAM）等会直接和处理器封装在一起，缩小体积，加快数据传递速度；此外还有3D 堆叠封装技术。

具体而言，黄汉森就未来的发展方向提出若干观点：

新技术将使晶体管更快、更小。长期以来一直在考虑的一项技术——碳纳米管，现在正变得切实可行。另一种是被称为2D层状材料的材料，可以通过让电子更容易地流过芯片来提供类似的增强。

一些新的内存技术将直接构建到处理器中，而不是作为单独的芯片连接。这种快速连接将极大地提高性能，因为芯片上的逻辑电路(处理数据的部分)将更快地获得所需的数据，因此不必有太多闲置时间。

台积电研发副总裁黄汉森：2050年晶体管能做到0.1纳米，氢原子尺度！( 四 )