台积电研发副总裁黄汉森：2050年晶体管能做到0.1纳米，氢原子尺度！( 八 )
要想实现上面说的理想的系统，需要超薄的设备层和较低的制造温度。
近年来，晶体管技术实现了不少进步，出现了2D层材料过度金属设计，1D碳纳米管设计等，这些材料非常轻薄，大大降低了晶体管的沟道宽度，但仍保持高迁移率水平。
实现内存与逻辑平台在3D架构下的整合，让晶体管与制造技术的进步成为一个连续的统一体。
而要实现这一目标，各自为战是不行的。这需要系统工程师和开发人员的密切合作，需要硬件设备制造技术和需求的更紧密的交流，需要学术界与产业界建立更加紧密的联系。
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