台积电研发副总裁黄汉森：2050年晶体管能做到0.1纳米，氢原子尺度！( 七 )
现有的系统中，大部分都是2D和2.5D，用的是TSV，我们需要再向前迈进一步，进入3D。
而下一步就是Beyond 3D，它实现了逻辑和内存的多层整合，在纳米级尺度上实现了高密度的TSV工艺，即“N3XT级”系统。
下一代内存需要具备高带宽、高容量，而且需要在片上。
研究表明，具备上述条件的内存可以使系统级收益增加近2000倍，当然，以现有技术很难实现。在上层很难构建高性能晶体管，因为制造时需要1000度高温条件，内存层会融化。
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