未来芯片如何封装？英特尔说：是“乐高式”的！( 四 )_：未来芯片如何封装？英特尔说：是“乐

为了追逐最高密度以及高带宽的互连，英特尔正不断加大对3D互连裸片叠加相关技术的开发。

Ravi介绍，英特尔的AIB高级互连走线技术每平方毫米Shoreline带宽密度可以达到130，Areal带宽密度可以达到150，同时针脚速度会达到2.0Gbps，物理层的能耗效率是0.85，相比竞争对手拥有明显的技术优势；英特尔的MDIO技术则可以在整个封装内实现裸片间的互连，技术支持小型芯片IP模块库的模块化系统设计，它可以提供更高的能源效率，并达到AIB技术响应速度和带宽密度的两倍以上。

除此之外，英特尔还能够将一小块硅中介层放进芯片组封装里，得以在局部实现超高密度布线，使用硅工艺后，可以轻松地把单位导线数量成倍提高，达到200、400，甚至500到600。与之相配合，英特尔的Foveros技术可以在常规铅笔的核心直径大小的基础裸片面积之上搭载更多的单片，利用非常轻薄的晶圆进行生产。

如果将EMIB和Foveros相集成，则被被称为Co-EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)技术，其把2D和3D芯片进行融合，把不同芯片进行不同层面的分割级，并且把它放在同一个封装内实现了实现高带宽、低功耗，连接了更高的计算性能和能力。