为了实现高纵横比结构 ， 如PhC柱和DBR光栅反射镜 ， 在400纳米SiNx上使用ZEP520A抗蚀剂的标准技术失败了 ， 因为需要更厚和更抗蚀的掩模来实现亚微米图案 。 能够蚀刻较厚掩模层的一个简单技巧是使用水平掩模；即 。 添加耐氟等离子体的中间金属层 。 中间金属层可以是铬或铝 ， 两种金属氟化物都是非挥发性的 。 因此 ， 这种三级技术是在500纳米二氧化硅上使用50或60纳米铬层开发的。
结论
【华林科纳反应离子蚀刻的实用方法报告】我们描述了RIE的一般但重要的方面 ， 如各向异性、加载效应、滞后效应、直流偏倚、化学选择 ， 并对其进行了广泛的实验研究微掩蔽 ， 我们演示了如何避免蚀刻inp基的典型微掩蔽材料 。 后一个简短的部分Si ， SiOx和SiNx ， 详细研究蚀刻氮化镓 ， 包括大型讨论部分解释氮化镓蚀刻率增加四倍时引入六氟化硫氯化气体 ， 使用一个简单的方法和热力学数据 。 最后 ， 综述和讨论了四种蚀刻inp基结构的化学方法 。
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