下面的硅结的作用类似于光腐蚀中的结的作用 。 连接到p型结的Cu处于比连接到n型区的Cu更低的电位(因此更高易受腐蚀) ， 如果向结施加偏压的话 。 向结施加偏压的一种方法是用光 。
然而 ， 即使在没有光的情况下也观察到M1铜的蚀刻 ， 这表明光蚀刻不是机理 。 更可能的机制是O2在连接到n型区域的Cu处消耗电子 ， 从而偏置结 。
结论
【铜在去离子水中的蚀刻】我们华林科纳描述了一种新的成品率损失机理 ， 它与去离子水中铜的腐蚀有关 。 在预金属化湿法清洗过程中 ， 含有高浓度溶解氧的水会蚀刻通孔底部的铜 。 蚀刻在金属化后残留的Cu中产生空隙 ， 导致受影响的阵列电路中的高电阻和功能故障 。 去离子水中的溶解氧浓度必须最小化 ， 以防止铜的蚀刻 。
推荐阅读
- 西安富婆家中多瓶名酒不翼而飞，装监控后，竟发现不可思议的真相
- 野外碰到毒蛇时，拐弯跑更容易躲开毒蛇吗？来听听动物学家的建议
- 动物园“国字脸”猴子火了，长的太像我们身边似曾相识的人
- 独家｜我们投出了MR独角兽，但劝你不要当“元宇宙创业者”
- 非夫妻开一间房，只登记一人身份信息，遇上公安查房会怎么样？
- 马斯克440亿美元收购推特，打开了潘多拉魔盒？人类文明或将改写
- 科学家认为木卫二可能存在生命，因为发现水源新证据
- 如果搬到火星只需要10万美元，那么您会考虑吗？
- 渝北区移动PCR方舱实验室投用