华林科纳半导体-----在 HF 水溶液中处理的 GaP表面的特性



华林科纳半导体-----在 HF 水溶液中处理的 GaP表面的特性


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华林科纳半导体-----在 HF 水溶液中处理的 GaP表面的特性


引言
椭偏光谱(SE)、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)、润湿性和光致发光(PL)测量研究了HF水 溶液中化学清洗的GaP(OOl)表面 。 SE数据清楚地表明 , 溶液在浸入样品后(W1分钟)会立即去除自然氧化 膜 。 然而 , SE数据表明 , 自然氧化膜不能被完全蚀刻去除 。 这是因为蚀刻后的样品一暴露在空气中 , 氧化 物就开始重新生长 。 SE估计粗糙度约为1纳米 , 而原子力显微镜粗糙度值约为0.3纳米 。 XPS光谱证实了自- 然氧化物的去除以及HF蚀刻的GaP表面上再生长氧化物的存在 。 润湿性测量表明 , 经氢氟酸清洗的表面是 疏水性的 , 这与经碱清洗的表面(亲水性)形成直接对比 。 价格指数略有上升 。 在HF水溶液中蚀刻后 , 强度 也提高了 。 2007年美国物理研究所 。
介绍
HF蚀刻导致的形态学变化 , 这些变化进入我们使用SE数据的光学 建模 。
磷化镣(GaP)因其在光电和高温电子传输器件中的应用而成为 最重要的xiii-V半导体之一 。
由于其高反应性 , GaP表面在室温空气中容易氧化 , 形成几纳米 厚的天然氧化膜 。 清洁的材料表面对于各种半导体器件技术来说 是绝对必要的 。
有几种表面清洁技术可用于
其中 , 化学清洗是最简单和最容易控制的 , 已被广泛 应用于 GaAs2-13 磷化锢、这些研究中使用的主要是酸性物质(HCU HF、H2SO2/H2O2等)。 )和碱性(氢氧化钾、NH2OH等) 。 )解决方案 。
为湿化学清洗的参考资料提供了一个有用的指南 在iii-v族半导体上完成的工作 。 然而 , 关于GaP表面清洗的文献 仍然有限17 18o
仅发表了关于在酸性(HCI)中化学清洗GaP表面的报告(参考文献 o 17)和碱性(氢氧化钾 。
裁判 。 18)解决方案 。 迄今为止 , 尚未在酸性氢氟酸溶液中进行清 洗研究 。 在硅技术中 , 众所周知 , 高频清洗司以去除 天然氧化物 , 留下稳定的硅表面 , 由原子氢终止 。
在这篇文章中「我们3艮道了用椭偏光谱(SE)、离位原子力显 微镜(AFM)、x射线光电子能谱(XPS)研究了HF溶液中表 面的化学清洗效应 。 润湿性和光致发光光谱 。 硒是一种高度表面 敏感的技术 , 不仅能检测吸附物质对表面的亚纳米覆盖 , 还能检 测其尺寸小于光波长的表面粗糙度 。 20原子力显微镜用于独立评本研究中使用的GaP样品是电阻率约为0.15 Q?cm的n型晶片 。 样品首先在超声波浴中用有机溶剂脱脂 ,然后用去离子水冲洗 。 没有对样品表面进行进一步清洁 。 然后 ,待研究的样品表面被约2纳米厚的天然氧化膜覆盖 。 请注意 , 该值 由SE决定 , 因此由有效厚度决定 。

图1在(a) 1重量%中处理的GaP(OOl)的伪介电函数< 8(E))=(si(E))+l(g( E))的实数[(el(E))]和虚数[(E2(E))]部分以及
(b)t=O(脱脂)和1分钟的50 wt % HF溶液 , 以及清洁裸露GaP(粗实线)的 溶液 。 垂直箭头表示每个临界点(E0、El、E%和E2)的位置
实验
图1显示了在(a) 1 wt %和(切50 wt % HF溶液中处理1分钟的GaP( 001)表面的假介电函数光谱 。 连同从接收样本(=0 s)获得的数据 。 为了 比较 , 光谱(s(E))为干净的 。
积极地 。 由于没有关于天然GaP氧化物光学常数的实验数据 , 我们使用 了在稀释的正磷酸/磷酸电解液中形成的阳极GaP氧化物的介电常数 。 22
图2中的实线表示三层模型的分析结果 , 其中天然氧化物作为脱脂、 样品的覆盖层 。 测量的SE数据由空心圆绘制 。 虚线还显示了干净、近乎 陡峭的GaP表面的< e(E)>光谱 。-
6=0.020.的
在图3(a)中用实线示出了在1 wt % HF溶液中处理t=l分钟的样品的| 三层分析结果 。 实验SE (e(E)>数据用空心圆圈标出 。 分析得出dox=l.. 00 nm的表观GaP氧化膜厚度 , 无偏估计量为在0度 。
【华林科纳半导体-----在 HF 水溶液中处理的 GaP表面的特性】
图3

图5 。 (彩色在线)大面积(1x1卩m2)自动聚焦显微镜图像 , 从在Iwt%氟化氢溶液 中处理1分钟的样品获得 。 从该图像获得的均方根粗糙度约为0.3纳米 。结论
在盐酸蚀刻GaP(lll)al7的情况下 , 在盐酸处理后观察到光致发 光强度的大幅度降低;即1.65电子伏的光致发光峰值强度通过盐酸 蚀刻降低到约20%0表面复合速度是表征表面所需的唯一参数 。

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