国产Longsys DDR5内存横空出世！多项实测数据首次公开
2020年7月中旬JEDEC固态存储协会正式发布DDR5 SDRAM内存标准规范后 ， DDR5新技术应用受到业内的关注以及专业领域的探索 。
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江波龙电子今天正式发布Longsys DDR5内存模组产品（ES1） 。 涉及两款全新架构产品原型 ， 分别是1Rank x8和2Rank x8标准型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC 。 相较于DDR4 ， DDR5在功能和性能上都得到了显著提升 。
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此外 ， 部分测试数据首次面向公众公开 。 其中 ，展示的测试实例采用了Intel AlderLake-S ADP-S CRB开发板 ， 搭配Longsys DDR5 32GB 4800内存模组 ， 并配置Windows 10 Pro x64操作系统 ， 分别通过鲁大师和AIDA64两个熟知的软件展示DDR5的真实数据 。
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（通过BIOS了解到DDR5新架构采用了两个完全独立的32位通道）
1、鲁大师测试数据
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通过鲁大师测试 ，Longsys DDR5 32GB 6400的跑分高达19万分有余 。
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2、AIDA64测试数据
通过测试 ， 能够获取到Longsys DDR5 32GB 6400读/写/拷贝/延迟的性能跑分 。
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为了更加直观地体现性能的提升力度 ， 还加入了DDR4的测试对比 。 根据数据显示 ， Longsys DDR5在性能上实现了跨越式提升 。
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核心指标揭秘
【Pro|国产Longsys DDR5内存横空出世！多项实测数据首次公开】
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纠错能力增加
在优化DDR5 DRAM内核运算能力上 ， Longsys DDR5增加内置纠错码（ECC） ， 全面实现数据纠错能力 ， 进一步提高数据完整性 ， 同时也缓解了系统错误校正负担并充分利用DRAM读写的高效机制 。
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增加16n的预取模式
BL16使得Longsys DDR5内存的并发性在DDR4的基础上提升了一倍 ， 信号能够更完整高效地传递 。 本次DDR5 DIMM新架构采用了两个完全独立的32位通道 ， 提高了并发性 ， 并使系统中可用的内存通道增加了一倍 。
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端到端的接收模式的强化
在DDR5新技术应用中除了DQ/DQS/DM继续采用ODT功能 ， 增加CA、CS类信号也使用了ODT 。 因此 ， Longsys DDR5内存进一步减少了信号脉冲的反射干扰效应 ， 让信号传输更加纯净 。
DDR5 Bank Group 翻倍
DDR5内存使Bank Group的数量增加了一倍 ， 并且每个Group的Bank数量保持不变 。 Longsys DDR5 BG提供更少的访问延迟 ， 加倍提高了系统的整体效率 ， 允许更多页面同时被打开 。
SAME-BANK Refresh刷新模式
Longsys DDR5根据标准还实现了一个新特性 ， 称为SAME-BANK Refresh（同步刷新） 。 此命令允许刷新每个BG中的一个Bank ， 使所有其他Banks保持打开状态以继续正常操作 。
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未来的应用场景不断革新和进步 ， 对存储技术提出了更严苛的要求 ， 亦大大加速了DDR5发展进程 ， 各大主流平台对于DDR5的支持也推进迅速 。
据悉 ， Intel方面预计今年第三季度就有支持DDR5的平台上市 。 而驱动DRAM内存市场向DDR5升级的动力来自对带宽有强烈需求的专业应用领域 ， 比如服务器、云计算、数据中心、高性能计算机等应用领域均有望得到重点部署 ， 此次迭代也为行业客户提供了更出色的内存解决方案 。
截止2021年3月12日 ， Longsys申请专利总数达到838个 ， 其中境外专利申请178项；已授权且维持有效专利411项、其中境外授权且维持有效专利83项；软件著作权65项 。
据悉 ， 今年Longsys内存产品线仍将精益求精 ， 持续提供更多的DDR5产品规格和技术服务 。
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