《财经》新媒体|中科院研发者回应5纳米光刻技术突破ASML垄断

【《财经》新媒体|中科院研发者回应5纳米光刻技术突破ASML垄断】_原题是:独家 | 中科院研发者回应5纳米光刻技术突破ASML垄断
今年7月 , 在中国科学院官网上发布了一则研究进展 , 中科院苏州所联合国家纳米中心在《纳米快报》(Nano Letters)上发表了题为《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》(5 nm Nano gap Electrodes and Arrays by a Super-resolution Laser Lithography)的研究论文 , 介绍了该团队研发的新型5 纳米超高精度激光光刻加工方法 。

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该论文发表在《纳米快报》(Nano Letters) 。 图截自官网ACS官网
消息一经发出 , 外界一片沸腾 , 一些媒体称此技术可以“突破ASML的垄断”、“中国芯取得重大进展” , “中国不需要EUV光刻机就能制作出5纳米制程的芯片” 。
该论文的通讯作者、中科院研究员、博士生导师刘前告诉《财经》采访人员 , 这是一个误读 , 这一技术与极紫外光刻技术是两回事 。
极紫外光刻技术解决的主要是光源波长的问题 , 极紫外光刻技术(Extreme Ultra-violet , 简称:EUV) , 是以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术 。
集成电路线宽是指由特定工艺决定的所能光刻的最小尺寸 , 也就是我们通常说的“28纳米”、“40纳米” 。这个尺寸主要由光源波长和数值孔径决定 , 掩模上电路版图的大小也能影响光刻的尺寸 。 目前主流的28纳米、40纳米、65纳米线宽制程采用的都是浸润式微影技术(波长为134纳米) 。 但到了5纳米这样的先进制程 , 由于波长限制 , 浸润式微影技术无法满足更精细的制程需要 , 这是极紫外光刻机诞生的背景 。
而中科院研发的5纳米超高精度激光光刻加工方法的主要用途是制作光掩模 , 这是集成电路光刻制造中不可缺少的一个部分 , 也是限制最小线宽的瓶颈之一 。 目前 , 国内制作的掩模版主要是中低端的 , 装备材料和技术大多来自国外 。
刘前对《财经》采访人员说 , 如果超高精度激光光刻加工技术能够用于高精度掩模版的制造 , 则有望提高我国掩模版的制造水平 , 对现有光刻机的芯片的线宽缩小也是十分有益的 。 这一技术在知识产权上是完全自主的 , 成本可能比现在的还低 , 具有产业化的前景 。
但是 , 即便这一技术实现商用化 , 要突破荷兰ASML(阿斯麦)(NASDAQ:ASML)在光刻机上的垄断 , 还有很多核心技术需要突破 , 例如镜头的数值孔径、光源的波长等 。
如果把光刻机想象成一个倒置的投影仪 , 掩模就相当于幻灯片 , 光源透过掩模 , 把设计好的集成电路图形投影到光感材料上 , 再经蚀刻工艺将这样的图形转移到半导体芯片上 。

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示意图:电路设计图首先通过激光写在光掩模版上 , 光源通过掩模版照射到附有光刻胶的硅片表面 。
通常 , 每一个掩模版的版图都不一样 , 制作一枚芯片常常需要一套不同的掩模版 。 掩模版制作要求很高 , 致使其价格十分昂贵 , 如一套45纳米节点的CPU的掩模版大概就需要700万美元 。 如今 , 随着产品的个性化、小批量趋势 , 致使掩模版的价格在整个芯片成本中急速飞升 。
高端掩模版在国内还是一项“卡脖子”技术 。 在半导体领域 , 除了英特尔(NASDAQ:INTC)、三星(PINK:SSNLF)、台积电(NYSE:TSM)三家能自主制造外 , 高端掩模版主要被美国的Photronics(NASDAQ:PLAB)、大日本印刷株式会社(DNP)以及日本凸版印刷株式会社(Toppan)(PINK:TOPPY)三家公司垄断 , 根据第三方市场研究机构前瞻产业研究院的数据 , 这三家公司的市场份额占到全球的82% 。

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数据来源:前瞻产业研究院 制图:陈伊凡
而且 , 这一技术如今尚在实验室阶段 , 要实现商用还有很长的路要走 。 ASML从1999年开始研发极紫外光刻机 , 到2010年才出了第一台原型机 , 2019年第一款7nm极紫外工艺的芯片才开始商用 , 前后花了20年时间 。 这是一个技术从实验室走向商用所必须付出的时间成本 。
半导体产业发展60多年 , 摩尔定律基本得以实现的关键就在于光刻机能不断实现更小分辨率 , 在单位面积芯片上制造更多的晶体管 , 提高芯片的集成度 。 如果没有光刻机 , 就没有芯片先进制造可言 。 根据第三方市场研究机构前瞻产业研究院数据 , 2019年全球光刻机市场74%被荷兰的ASML公司垄断 。 ASML也是如今全球唯一一家能够量产极紫外光刻机的公司 。

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数据来源:前瞻产业研究院 制图:陈伊凡
如何突破层层专利保护 , 也是要实现制造完全自主的光刻机的难点之一 。 极紫外光刻技术领域就像一个地雷密布的战场 , ASML通过大量专利和知识产权保护 , 垄断该技术 。
一直以来 , 业界都在尝试另一条技术路线 , 例如华裔科学家、普林斯顿大学周郁在1995年首先提出纳米压印技术 , 目前仍无法突破商用化的困境 。

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并且 , 极紫外光刻机能够成功商用 , 并非仅靠ASML一家之功 , 它更像是一个集成创新的平台 , 其中有将近90%的核心零部件来自全球不同企业 , ASML通过收购 , 打通了上游产业链 , 例如德国卡尔蔡司、美国硅谷光刻集团的激光系统、西盟科技的紫外光源 。 目前没有一个国家能够独立自主完成光刻机的制造 , 中国以一国之力 , 短期内要突破ASML在极紫外光刻技术上的垄断 , 几乎是不可能的事情 。

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