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器件|业内警惕化合物半导体投资热潮 未来5年将步入整合期( 二 )

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国内厂商奋起直追
相比国际厂商 ， 国内厂商也在奋起直追 ， 传统LED厂商凭借对材料领域的技术掌握也在积极布局在GaN/SiC等化合物半导体领域 。
华灿光电作为国内LED芯片头部企业 ， 公司从2020年开始进入GaN电力电子器件领域 ， 产品主要面向移动消费电子终端快速充电器、其他电源设备 ， 云计算大数据服务器中心、通信及汽车应用等领域 。 目前GaN 电力电子器件外延片已达到国内先进水平 ， 芯片相关工艺完成阶段性开发 ， 6英寸硅基GaN电力电子器件工艺已通线 ， 100mm栅宽D-Mode器件静态参数已达国际标准 。
公司副总裁王江波指出 ， GaN材料成为紫外、蓝光、绿光LED和激光器等光电器件实现的基础 ， 广泛应用于照明 ， 显示 ， 通信 ， 医疗等多个领域 。 华灿光电预计2022年底推出650V cascode产品 ， 2023年具备批量生产和代工能力 。
LED芯片龙头三安光电也在布局SiC、GaN等化合物半导体 。 三安集成电路销售总监张翎介绍 ， 三安在湖南长沙建成了目前国内唯一的一条SiC全产业链 ， 从长晶到晶体的生产 ， 再到外延、芯片研发和封测 ， 实现全产业链布局 ， 今年6月公司已经开始量产 ， 后续还会致力于光伏、新能源汽车的OBC、DCDC ， 以及汽车的主驱等市场 。
英诺赛科作为国内GaN功率器件的领军企业 ， 已建成中国首条8英寸硅基氮化镓外延与芯片大规模量产生产线 。 本次会议中 ， 英诺赛科高级经理贺鹏介绍了在碳达峰、碳中和为背景下 ， GaN功率器件在聚焦智慧照明、电机驱动、数据中心等领域的优势和潜力 。 同时 ， 对GaN在当前应用中的问题和挑战进行了分析 ， 概述了对应的解决方案及方向 。
即便在传统薄弱的衬底环节 ， 国内厂商在强化布局 。 晶能光电在全球率先实现硅衬底GaN技术在LED领域的产业化和市场应用 。
本次会议中 ， 晶能光电外延研发经理郭啸介绍：“晶能光电在做InGaN基的红光 ， 目前在650纳米以下的前提下 ， 我们的普通尺寸的InGaN基的红光的外量子效率是3.5% ， 在国际上是处于第一梯队的 。 ”据介绍 ， 晶能光电硅衬底Mini LED 超高清显示屏应用进展和正在开发中的TFFC芯片P0.6—P0.3间距解决方案 ， 以及硅衬底垂直结构Mini LED产品量产规划 。 他指出 ， 相比成熟的OLED技术 ， Micro LED显示技术的开发和产业化还存在很多的困难 ， 其中红光LED是Micro LED技术的重大瓶颈之一 ， 开发高效的氮化镓基红光Micro LED成为当务之急 。
另外 ， 在外延材料方面 ， 晶湛半导体是专门提供 GaN 外延解决方案的外延代工厂 ， 生产的GaN外延片产品涵盖了200V-1200V功率应用 ， 可提供耗尽型与增强型两种结构 ， 并已进行了完备的外延相关专利布局 。 随着SiC器件的推陈出新 ， 驱动技术的研究对于新型半导体器件的应用有着重要意义 。 青铜剑技术市场经理张行方介绍了SiC与Si器件的差异 ， 相比于Si器件 ， SiC器件拥有更快的开关速率、更高的dv/dt、更低的开通阈值以及更差的门极负压耐受能力 。

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