三星发布GAA晶体管：3nm甚至1nm未来可期_英特尔在本月的投资者透露

英特尔在本月的投资者透露，公司解释了之所以一再推迟10nm芯片上市的原因，同时宣称将在2021年发布采用7nm工艺的Xe显卡。

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三星动作迅速，在近日的SFF(Samsung Foundry Forum)美国分会上表示：公司计划在2021年推出一款突破性的产品，这款产品基于三星3nm GAA(gate all around)工艺制造，性能提高35%，并将功耗降低50%、芯片面积缩小45%。

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三星在3nm工艺上使用了最新一代的GAA技术，能够对芯片核心的晶体管进行重新设计，使芯片更小更快。因为早期的芯片电路中，电流一直由通道顶部的“闸门”来控制，但GAA利用特定的材料，将整个电流通道包裹成类似3D结构，这种设计比“闸门”更加复杂。一些人设想GAA晶体管通道是一种叫做纳米线的小圆柱体，但是三星的设计使用了一种叫做纳米片的平坦通道。