三星发布GAA晶体管：3nm甚至1nm未来可期( 四 )

2019-05-23

目前，英特尔和台积电尚未为此事置评。

除了3nm工艺，三星还准备各种工艺来满足不同用户的需求，覆盖到10nm往下节点的各个数字上。除了采用GAA工艺的3nm产品外，未来可能还有2nm甚至1nm工艺，挑战半导体的物理学极限。但三星如此多的工艺容易让人眼花缭乱。

为了解决这问题，Cacdence公司官方博客专栏作家保罗麦克莱伦日前撰文，分析三星的制程工艺，用一张简洁而且清晰的图标汇总了三星目前的制程工艺，如下所示：三星目前拥有四大工艺节点，分别是14nm、10nm、7nm及3nm，并针对每代节点的衍生版进行重新命名，其中14nm节点有14nm LPE、14nm LPP、14nm LPC、14nm LPU及11nm LPP版本;10nm节点有10nm LPE、10nm LPP、8nm LPP、8nm LPU及尚在开发中的版本;7nm节点中，三星直接放弃LPE低功耗版，直接进入7nm LPP和7nm EUV(EUV光刻工艺辅助)、6nm LPP、5nm LPE、4nm LPE等衍生版;三星在3nm节点开始放弃FinFET工艺，转向GAA晶体管，第一代3GAE、3GAP工艺两种，后续还在继续优化改良中。

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