3D闪存将走向何方?( 八 )

东芝在主题演讲中,展示了将字线分割一半的Charge Trap(CT)型的单元(Cell)和Floating Gate(FG)型的单元(Cell)的试做断面的观察图像。

3D闪存将走向何方?

通过把存储单元的字线分割一半,存储密度提高两倍。左边是概念图,右侧是试做的单元的构造、断面观察图。(图片出自:笔者摄影)

3D NAND闪存的大型厂商的开发热情似乎一点儿也没有降低,超多层、多值存储、存储单元的分割等,毫无疑问任何一项都是非同一般的高难度技术,即便如此,也要硬着头干下去,或许就是这个行业特征!

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