3D闪存将走向何方？( 六 )_：3D闪存将走向何方？来源：格隆汇来源

SK Hynix在FMS（Flash Memory Summit）上做的主题演讲（Key Note）中展示的其Road Map(产品路线图）。（图片出自：笔者摄影，下同）

多值存储终于实现了5bit/cell

8月6日，又发生了令人震惊的事情！东芝存储半导体在FMS的主题演讲中表示，提高3D NAND闪存的存储密度的2个技术要素。

其一，就是多值存储技术。东芝表示，正在开发在一个存储单元（Memory Cell）上存储5bit数据的“PLC技术”。据说，主题演讲的听众当时颇受震惊！

以往的多值存储方式多采用的是一个存储单元（Memory Cell）上存储4bit的数据的QLC(Quadruple-Level Cell)技术。在QLC技术中，1个存储单元中写入了15个等级的阈值电压。相邻的阈值电压的差很小，很难调整。因此，在多值存储方式下，QLC技术达到了极限。

然而，东芝存储半导体却打破了这一认知，并展示了1个存储单元中写入31个等级的阈值电压时的实验结果。与东芝共同开发的合作伙伴Western Digital也展示了包含5bit/cell的多值存储的幻灯片。另外，把QLC改为PLC（注：笔者认为，P应该是“penta”的缩写），存储密度可以提高25%以上。