3D闪存将走向何方？( 五 )_：3D闪存将走向何方？来源：格隆汇来源

持续发展的字线堆叠数的Road Map(产品路线图）

之前东芝Memory 提到过通过Memory Through Hole（存储过孔）技术可能提高字线堆叠数。在2017年5月的国际学会IMW上，东芝提到可以实现200层的2Tbit/Die。2017年5月时间点，3D NAND闪存技术的字线堆叠数最大达到64层！我们迎来了在此基础上增加3倍的Road Map(产品路线图）！

第二年（2018年）的8月，在闪存半导体的行业大会FMS（Flash Memory Summit）上，SK Hynix表示，200层不过是一个过渡期，最终实现500层也是可能的！虽然没有公布单个Silicon Die的存储容量，从以往的趋势来看，应该是可以做到4Tbit/Die的堆叠数。

而且，今年（2019年）的8月6日，SK Hynix在FMS(Flash Memory Summit)上做了主题演讲（Key Note），演讲中很强势地提到了其Road Map(产品路线图）：2020年176层、2025年500层以上、2030年800层以上。所谓的800层，理论上，是实现了8Tbit/Die的堆叠数。也就是说，用1个芯片（Single Die）就可以获得1TB！