3D闪存将走向何方？( 七 )
东芝存储半导体公布的QLC（4bit/cell）技术下的阈值电压分布。(图片出自：笔者摄影）
东芝存储半导体公布的PLE(5bit/cell)技术下的阈值电压分布。(图片出自：笔者摄影）
Western Digital公布的多值存储方式的说明幻灯片。(图片出自：笔者摄影）
存储密度提高2倍的终极手段
另一种技术是，通过将存储单元（Memory Cell）的字线（Word Line）分割一半，使每个Memory Through Hole（存储过孔）的存储单元（Memory Cell）数量增加2倍。很明显生产将会变得十分困难，从理论上看，具有存储密度会增加2倍的优点。
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