3D闪存将走向何方？( 四 )_：3D闪存将走向何方？来源：格隆汇来源

其一，至此，牵引存储半导体大容量化的字线层数，在不久的将来其发展会出现“钝化”，或者说其发展会达到极限。其二，QLC方式下的多值存储技术是否会达到极限?存储单元的Bit数是否会出现无法再增加的情况？

Samsung公开谈到300多层的3D NAND闪存

2019年8月6日，大型NAND厂家相继公布了消除以上担忧的Road Map（产品路线图）和技术要素。

今年8月6日，最大的NAND厂商Samsung Electronics公布开始量产SSD，此款SSD搭载了通过单堆栈（Single Stack）形成了136层Memory Through Hole（存储过孔）的256Gbit 3D NAND闪存。所谓136层的Memory Through Hole（存储过孔），在层数方面是历史最高值。除去Source Line、Dummy Word Line，存储单元（Memory Cell Storing）的字线层数为110-120。

此次发布中，应该关注的是他们提到的通过堆叠3个136层的单堆栈（Single Stack），最终可以堆叠300多层的的存储单元（Memory Cell）。最大厂商Samsung表示了如此强势的观点，着实罕见。

虽然还未明确300层的开发时间，不过应该已经着手研发了。