IT之家|十铨成功开发可超频DDR5内存:电压支持到2.6V以上,超频空间更大
根据十铨官方的消息 , 十铨科技在完成标准型 DDR5 U-DIMM 及 SO-DIMM 并与板厂合作验证后 , 今日宣布进程有崭新突破:旗下 T-FORCE 品牌成功打造出 DDR5 超频内存 , 并第一时间送样华硕、华擎、微星、技嘉等四大板厂相关部门进行超频能力测试合作 。
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【IT之家|十铨成功开发可超频DDR5内存:电压支持到2.6V以上,超频空间更大】IT之家了解到 , DDR5 超频内存在升级 PMIC(Power Management IC)后拥有更大幅度的电压调整空间 , 开发阶段进入到超频后 , 此 PMIC 可提供 2.6V 以上的电压增加内存高频驱动能力 。 在 DDR5 以前的世代 , 电压转换是由主板控制 , 而进入到 DDR5 后将组件移至内存本身 , 电压转换将由内存处理 , 不仅减少电压损耗 , 还可减少噪声产生 , 让超频空间相比于过去能拥有更大幅度的提升 , 带来更强大的运算能力 。
十铨科技表示 , T-FORCE 将承袭 DDR4 时期强大的品牌技术力量 , 持续探索 DDR5 的超频途径 , 创造超越上一世代内存的性能表现 , 提升应用运作的可靠性 。
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