视点·观察|全球存储巨头争相扩产，中国厂商入局能否打破“铁三角”格局？_全球存储巨头争相扩产，中国

作为芯片进口大国，中国一年 3000 亿美元的芯片进口中，就有超过 800 亿美元来自于内存芯片，包括了 DRAM 芯片和 NAND 芯片。而在芯片缺货潮下，全球市场对于存储芯片的需求更是不断攀升。
6 月 29 日，有消息称韩国存储器巨头 SK 海力士将针对 2 月份才落成的 M16 新晶圆厂投资 8000 亿韩元（约人民币 45 亿元），用以采购包含 EUV 在内的生产设备。该工厂预计在今年年底前达到每月量产 1.8 万片 12 寸晶圆的目标。
而在此前，三星以及美光均对外发布了相关芯片的扩产计划。
同样在国内，也形成了以长江存储、合肥长鑫和福建晋华为首的国产存储阵营。根据世界半导体贸易统计组织数据显示，我国存储芯片市场规模从 2015 年的 45.2 亿美元已上升至 2020 年的 183.6 亿美元，业内预测，到 2024 年，国内存储芯片的市场规模有望突破 500 亿美元。
存储芯片价格两个月涨 20%
炒内存条曾经被业内称为“比炒房还要赚钱的生意” 。”
随着智能手机、服务器等终端的需求量激增，DRAM（主要包括 PC 内存、移动式内存、服务器内存）价格一路飙升。分析机构指出，DRAM Q2 报价涨幅已进入全年峰值，从 4 月至 6 月累计涨幅将达到 20-25% 。
全球市场研究机构 TrendForce 集邦咨询表示，受今年上半年各终端买方积极备库存的带动，使存储器原厂库存偏低，目前 DRAM 原厂平均库存仅 3 ~ 4 周，NAND Flash 供应商平均库存则为 4 ~ 5 周。存储器供应吃紧，上半年 DRAM 涨幅达 20% 。该机构预估，第三季整体 DRAM 价格将续涨约 3 ~ 8%，NAND Flash 则受 enterprise SSD 及 wafer 需求攀升，整体价格季涨幅将由原先的 3 ~ 8%，上调至 5 ~ 10% 。

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“目前仍在涨价阶段。”TrendForce 集邦咨询分析师吴雅婷对第一财经采访人员表示，受惠于制程转换不易导致供给缩减等因素带动，供给位元成长低于需求位元成长，使得今年度 DRAM 呈现供货吃紧市况，价格持续走高。
吴雅婷对采访人员表示，目前的 DRAM 市场仍然由三星、SK 海力士以及美光三强鼎立，呈现“寡占”市场格局。
可以看到，存储产业一直是韩国半导体产业构成中重要的一环。在今年年初，韩国政府公布的半导体强国目标十年规划中就提到，到 2030 年，以三星和海力士为首的 153 家公司将总计投资超过 4500 亿美元用于半导体研发和生产。而海力士此次对 EUV 光刻机的投资也被业内视为存储器芯片扩产计划中的重要一步。
此外，过去 EUV 光刻机设备主要用于逻辑芯片代工，但随着三星在 2020 年将 EUV 光刻机导入第一代 10 纳米级（1x）DRAM 存储器芯片量产的举动，标志着 DRAM 存储器芯片进入 EUV 时代。除此以外，三星还计划将在 2021 年大量生产基于第四代 10 纳米（1a）EUV 工艺的 16Gb DDR5/LPDDR5 。
巨头的不断投入也在推高市场的整体增长。世界半导体贸易统计组织预计，2021 年全球半导体总产值有望达到 5272 亿美元（约 33700 亿人民币），同比增长 19.7%，其中存储芯片的产值将以 31.7% 的增幅高居第一。
国产企业追赶
在国家大力支持半导体产业发展的大背景下，中国半导体存储器基地于 2016 年开工建设，中国存储芯片也迎来了大发展。
虽然达到“技术自主研发”与“稳定量产规模”的目标仍需要时间，但目前国内企业已经形成了以长江存储、合肥长鑫以及利福建晋华为主的国产存储阵营。
6 月 28 日，合肥长鑫第二期 12 寸厂房举行奠基仪式，有消息称新厂房是为未来进入 1y nm 以下工艺节点（接近 15 纳米工艺）所做的前期准备。但官方并未对这一消息予以确定。
不过可以看到，过去几年，合肥长鑫正在寻求 DRAM 内存芯的技术突破。
【视点·观察|全球存储巨头争相扩产，中国厂商入局能否打破“铁三角”格局？】在 2019 年，合肥长鑫量产了 19nm 工艺的 DDR4、LPDDR4 内存，也是全球第四家 DRAM 产品采用 20nm 以下工艺的厂商。根据目标规划，今年将完成 17nm 技术研发。
而在今年 3 月，合肥产投集团在其官微提到合肥长鑫发展情况时指出，目前长鑫 12 英寸存储器晶圆制造基地项目总投资 1500 亿元，截至 2020 年底，合肥长鑫 12 吋存储器晶圆制造基地项目提前达到预期产能。
而另一家存储企业，长江存储 CEO 杨士宁 (Simon) 曾说过：“存储不是一个好做的行业，比我在英特尔做 CPU 还要难。”
但经过三年的技术攻坚，长江存储芯片月产能已达到 30 万片，产品覆盖 64 层 3D NAND 闪存和 128 层 3D NAND 闪存规格多款产品。此前华为 mate40 系列使用的闪存，出自长江存储的 64 层 3D NAND 。
此外，国家已出台一系列产业政策，支持存储产业发展。
但随着中国存储器厂商陆续进入设备安装阶段，市场的变动也在“挑战”着国际巨头们的神经。
半导体调研机构 IC Insights 总裁曾表示，三星、海力士和美光占据着市场 95% 以上的份额，在专利侵权方面倾向于相互之间睁一只眼闭一只眼，理论上，由于它们都拥有如此庞大的专利库，所以彼此之间的专利争夺战是没有任何意义的。“但是，如果一家新公司进入市场，他们将不会给予这样的优待。”对于三星和海力士来说尤其如此。
换言之，目前国产存储企业面对的挑战是一场长距离赛跑，当面对巨头们打出的“反周期定律价格战”、“技术专利战”时应该随时有所准备。