降维打击！Intel 3D立体封装深度揭秘：前途无量( 三 )_：降维打击！Intel3D立体封装深度揭秘

这是从侧视角度展示的Foveros 3D封装的结构示意图：最下边是封装基底，之上安放一个底层芯片(Bottom Chip)，起到主动中介层(Active Interposer)的作用——AMD Fiji/Vega核心整合封装HBM显存就有类似的存在。

中介层之上就可以放置各种不同的新品或模块，比如CPU、GPU、内存、基带……

而在中介层里有大量的TSV 3D硅穿孔，负责联通上下的焊料凸起(Solder Bump)，让上层芯片和模块与系统其他部分通信。

当然，如何处理不同模块之间的高速互连，确保整体性能、功耗等都处于最佳水平，无疑是非常考验设计能力和技术实力的，TSV硅穿孔、分立式集成电路就是其中的关键所在。

Intel表示，不同用途芯片或者功能模块对晶体管密度的需求是截然不同的，性能、功耗、成本也相差很大，因此所有芯片模块都使用同一种工艺不会达到最佳效果，尤其是新工艺越来越难，都硬上新工艺不值得，也越来越不容易做到。

降维打击！Intel 3D立体封装深度揭秘：前途无量( 三 )