揭秘芯片制造关键一环，百亿美元市场的光刻胶产业(16)_光刻胶是电子领域微细图形加工关键材料

随着 IC 集成度水平的提高，光刻技术不断向前发展。为了满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求，半导体光刻胶通过不断缩短曝光波长的方式，不断提高极限分辨率。目前，世界芯片工艺水平已跨入微纳米级别，光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至 g 线（436nm）、 i 线（365nm）、 KrF（248nm）、 ArF（193nm）、 F2（157nm），以及最先进的 EUV(<13.5nm)线水平。其中， g 线和 i 线光刻胶的市场份额最大。随着未来功率半导体、传感器、 LED 市场的持续扩大， i 线光刻胶市场将持续增长，而精细化需求的增加将推动 KrF 光刻胶的增长并逐渐替代 i 线光刻胶。 ArF 光刻胶对应的 IC 制程节点最为先进，且随着双/多重曝光技术的使用， ArF 光刻胶的市场将快速成长。目前， KrF 和 ArF 光刻胶的核心技术基本被日本和美国企业所垄断。

▲半导体光刻胶分类

半导体光刻胶配方比较稳定，其专用化学品的市场规模与半导体光刻胶的市场规模基本保持同比例变动。 2017 年半导体光刻胶需求量较 2016 年增长 7~8% ，达到 12亿美元的市场规模。随着下游应用功率半导体、传感器、存储器等需求扩大，未来光刻胶市场将持续扩大。